曾获光速光合投资，晶瓴电子踏上绿色科技新风口

（原标题：曾获光速光合投资，晶瓴电子踏上绿色科技新风口）

21世纪经济报谈记者 申俊涵 北京报谈

“面前市集上的高端电子元器件多来自海外，咱们但愿中国的企业也有身手坐褥出相同棒的电子器件，我但愿晶瓴能完毕这个愿景。”晶瓴电子首创东谈主王振中在谈到第三次创业的愿景时有些感叹。

王振中是一位邻接创业者。2009年，他得到中国科学院物理所凝华态物理学博士，博士时代主要从事低维材料的商议，擅长开辟翻新。毕业后，手脚蚁合首创东谈主，曾参与了石墨烯材料与装备、金属网格透明导电膜等技俩，其中一家被上市公司并购。在蕴蓄了多数高端开辟开发、先进电子材料边界的丰富教悔后，他开启了第三次创业之旅。

此次他对准的是碳化硅材料。晶瓴电子开发于2023年7月，由王振中庸高鹏教训共同发起创立。基于激光隐切和室温晶圆键合两大中枢本事，公司研发多种异质晶圆，中枢居品恰是被称为第三代半导体材料的碳化硅晶圆。2023年年末，晶瓴完成了由光速光合领投的种子轮融资。

光速光合实施董事郭斌从2019年开动暖和碳化硅功率器件边界，他看到碳化硅中枢的产业链，从上游的衬底，到中游的联想和器件加工，再到下流的封装模块，于今尚未攻克且相等蹙迫的一个中枢法子是晶圆衬底的加工。碳化硅衬底是制备碳化硅器件的基石，亦然碳化硅产业链中最基础最蹙迫的法子。

“晶瓴开发的新式碳化硅晶圆高效加工决策，翻新性地和会了激光隐切工艺和室温晶圆键合工艺，可有用镌汰高资本碳化硅材料的损耗，且显耀量入计出晶圆加工时候，为下流企业提供高性价比的碳化硅衬底，让碳化硅器件在绿色科技边界能得到更凡俗的应用。”郭斌暗意。

碳化硅市集空间纷乱

碳化硅具有耐高压、耐高频、耐高温的特色，这让其成为了制作高温、高频、大功率、高压器件的理思材料之一，被凡俗应用于通讯、军工、汽车、光伏、轨谈交通等边界。2021年，工信部秘书将碳化硅复合材料、碳基复合材料等纳入“十四五”产业科技翻新关系发展蓄意，《二〇三五年出路主义提要》中也特地提倡碳化硅、氮化镓等宽禁带半导体即第三代半导体要取得发展。

王振中对准的等于这样一派市集。更具体的说，是碳化硅从晶锭到晶圆的这一法子。

与愈加陶冶的硅基半导体器件不同，碳化硅器件坐褥过程当中，原材料是最贵、最有本事壁垒，亦然价值最大的部分。对此，郭斌讲明谈，衬底之是以价钱高，一方面它悉数这个词合成的过程比较复杂、恬逸，且难度较高；另一方面等于衬底合成后，晶锭加工成晶圆的历程现阶段相等不陶冶。

据CASA发布的数据，现时市集上关于硅基器件而言，将一大块硅锭“切片”制成衬底占据器件总资本的7%，资本最高的是将衬底经过外延滋长、光刻、千里积等工序制成晶圆，占据近一半的资本。

而碳化硅器件则不同。比拟硅基器件，光是将碳化硅“切片”这一法子就占到了总资本的近四分之一，将切片好的衬底制作成晶圆又占据了近四分之一。换句话说，碳化硅器件在制造前的资本就占据全部资本近五成，平直导致碳化硅成为了一种崇高的半导体材料。

2019年，王振中斗争到了一个碳化硅关系技俩，这让他有些心动。“碳化硅是我一直看好的一个标的，碰劲有这样个契机近距离斗争碳化硅产业，就思深切进去。”

手脚一个有教悔的邻接创业者，王振中对第三次创业显得极为严慎。在之后的三年里，他对碳化硅产业进行了深切钻研与分析，作念了多数行业现存本事和工艺决策的商议、竞争神气分析。经过反复论证，他以为碳化硅晶圆加工面前照实是行业的痛点，手脚悉数这个词碳化硅行业将来发展的中枢法子亟需被攻破。高鹏教训的加入也让他在本事上更有底气，他决定下场，晶瓴电子考究开发。

“自身王振中对创业这件事思得相等了了，再加上他对行业参与的其他玩家、团队的布景、各自的工艺决策、各自的中枢上风和本事瓶颈等等，他齐了如指掌。从投资东谈主的角度来讲也让咱们越来越有信心。”郭斌说。

难切的碳化硅

在调研中，王振中坚贞到，高品性的碳化硅亦然被海外“卡脖子”的边界之一。其中的本事壁垒在于，碳化硅晶圆的硬度相等高，远跳跃过去的硅材料。这使得碳化硅晶圆在制造过程中能够承受更高的压力和机械应力，但也让加工自身就濒临着纷乱的贫苦。由于碳化硅的硬度极大，在对其进行切割时加工难度较高且磨损多。

面前碳化硅切片加工本当事者要包括金刚线切割、游离磨料切片、激光切割、冷辩别和电火花切片，其中来回式金刚石固结磨料多线切割是最常应用于加工碳化硅单晶的举止。诈欺这种举止，锯切直径150毫米6英寸的碳化硅晶棒需耗时近4天，且每锯切一次晶片和线锯的磨损齐相等严重，极大影响到线锯的寿命和晶片的翘曲度。

针对这些问题，晶瓴吸收的本事决策是激光隐切，即诈欺超快脉冲激光透过材料名义在里面聚焦，将碳化硅晶棒诈欺激光进行切割，这种耗时极低的本事不但有用幸免了切割过程中产生碎屑和浑浊物，也无需回来晶圆上不消要的热毁伤问题，而且极大镌汰了切口的宽度，在履行室中致使能作念到零线宽切割。王振中暗意，传统的线切割损耗厚度有时200~250微米独揽，激光隐切的损耗则不错镌汰到100微米致使更低，能够量入计出至少30%的原材料。

为了完毕高效切割碳化硅，王振中还指挥团队从零开动，统统自主研发了激光隐切开辟，况且已开动开辟委用。

郭斌说起，关于晶瓴来说，他们的激光隐切壁垒很高，这里面既有硬件的壁垒，又有软件算法的壁垒。激光是一种超快脉冲光纤激光器，需要达到飞秒级别，如安在不同的脉冲下作念联想决策，悉数这个词光路的联想开发和遴荐齐是中枢的knowhow，另外还有里面波及的算法，需要把激光分红多谈不同的激光泽进行同步切割。

此外，在将切好的衬底加工成晶圆的过程中，晶瓴团队也引入了室温真空键合本事，能够将不同种类的半导体材料精采无比“黏合”在全部，完毕一次成型，进一步培育了高质地碳化硅晶体材料的诈欺率。

郭斌暗意，“要作念到弥远性的晶圆键合难度极高，波及对开辟的和会和悉数这个词工艺的磨合，其实面前行业里能作念到的公司很有限，尤其应用在碳化硅边界，作念异质材料的键合，基本是凤毛麟角。晶瓴能把多晶的碳化硅和单晶的碳化硅异质进行趋奉，进一步培育了收尾。”

为量产8英寸碳化硅晶圆作念准备

在冉冉处分本事难题的同期，晶瓴也在为量产8英寸碳化硅晶圆作念准备。王振中以为，现时市集上6英寸碳化硅晶圆产能如故接近临界点，并在本年出现了降价潮，而8英寸碳化硅晶圆，展望在2025年年底到2026年年头，迎来一波昌盛的需求。

原因有两点。一方面，8英寸较6英寸晶圆更有资本上风。另一方面，固然6英寸碳化硅衬底如故供应相等鼓胀，但在现时半导体市集上，碳化硅功率器件的价钱依然崇高，尤其是在大尺寸异质晶圆赛谈，性能的培育难以遮蔽资本的增长，大大限度了碳化硅器件在功率器件边界的浸透率。8英寸晶圆面前仍未普及，一朝处分了衬底资本的瓶颈，市集将迎来多数需求。

基于这种判断，晶瓴也策动赶在2025年底完毕8英寸碳化硅晶圆的量产。

“悉数这个词碳化硅行业，包括衬底、器件、晶圆，这两年正在从原本的6英寸往8英寸标的发展，来岁及后年会是大边界替换升级成8英寸的关节节点，替换升级到8英寸本体上是一个必经的发展旅途，亦然面前主流行业和下旅客户招供的，”郭斌强调，“不错意猜想，一进取游的碳化硅衬底厂商不错完毕批量化的供应，那他们对晶瓴提供的开辟和供应决策的需求会是实着实在的刚需。”

王振中坦言，前两次创业我方把更多的暖和点放在本事上，这些年的千里淀让他昭着，本事是垫脚石，其最终需要作事于市集，是以晶瓴会更暖和产业高下流，通过客户的招供，来不停调遣自身的本事和工艺。

“行业最终比拼的不是最佳的本事，而是最具可量产的本事，但愿晶瓴能成为国内第一家碳化硅异质晶圆量产的公司，完毕碳化硅凡俗应用于绿色科技边界。”他说。